TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新研究報告顯示，第3季三大DRAM廠積極調配旗下產能以應付蘋果 iPhone新機龐大行動式記憶體的需求，在排擠效應下，標準型記憶體產出減少，帶動第3季合約價格持續上漲，供貨吃緊下標準型記憶體蟬聯毛利最高的 DRAM產品；DRAMeXchange表示，第3季DRAM產值120億美元，季增11%，單季營收再創新高，2015年雖然平均銷售單價將逐季往下， 但在位元產出仍持續增加的拉抬下，DRAM整體產值將持續攀升。

DRAMeXchange指出，在各DRAM廠產品比重調配得宜與先進製程產出增加下，獲利能力都進一步提升，其中又以三星表現最佳，營業獲利達 42%，SK海力士則緊追在後達40%，美光集團由於生產主軸仍以30nm製程為主，毛利率約24.1%，為三大DRAM廠最低。

DRAMeXchange表示，三星在25nm良率上在第3季已到85%左右，加上經濟規模不斷提升下，營收季成長18.4%。先進製程讓成本持續下降，第3季營業利益42%，為三大DRAM廠中最高。

SK海力士的25nm製程良率在第3季已經突破性的發展，投片也積極轉為25nm製程。由於轉換初期產能的耗損勢必影響總產出量，營收成長僅有7%，但第4季開始產出量將有大規格的增加，將帶動營收顯著提升。

美光集團生產重點著重於行動式記憶體與伺服器用記憶體二大產品，因此營收方面沒有韓系廠商亮眼，成長僅約4.7%。目前製程仍以30nm與25nm 為主，20nm製程預定年底開始投片試產，預期在明年上半年可以有穩定的投片量，到年末可以有80K左右20nm製程的投片，縮短與韓系廠商的競爭距離。

華亞科(3474-TW)由於與美光議價結構的關係，讓華亞科蟬聯DRAM廠中獲利最佳的廠商，營業利益達51.9%，但較上季小幅下滑。日前宣佈明年資本支出高達500億元，目的在於設備盡量與廣島廠相同，務求後續20nm製程可以轉進順利。

南科(2408-TW)目前以生產利基型記憶體為主軸，標準型記憶體與行動式記憶體與特定廠商合作持續生產當中，第季獲利表現強勁，營收成長10.2%，整體營業利益41.6%。

華邦電(2344-TW)在利基型記憶體與小容量行動式記憶體銷售持續成長，整體營收較上季成長5.7%，今年投片已提升近40K外，明年將朝向44K邁進，第3季營業利益提升至12.2%。

力晶在第3季DRAM營收較上季小幅衰退5%，主要是代工業務價格下滑影響，P3廠將於明年擴大其投片量，對於產出提升與獲利都有貢獻。